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新聞中心
壹周要聞 | 大半導體產業供應鏈動態
發布日期:2022-03-10

- 2022 -

壹周要聞 第十九期

大半導體產業供應鏈動態


01

企業發布(3月4日)


Graphcore發布全球首款3D封裝芯片

總部位于英國的AI芯片公司Graphcore發布了一款IPU產品Bow,采用的是臺積電7納米的3D封裝技術。這是全球首款3D封裝芯片,得益于3D封裝工藝(臺積電的3D WoW硅晶圓堆疊技術),該芯片在性能上與前序產品有很大的提升。Bow IPU單個封裝中的晶體管數量超過600億個,從而實現了性能和能耗比的全面提升。


就具體參數而言,官方介紹稱, Bow每秒可以執行350萬億flop的混合精度AI運算,是上代的1.4倍,吞吐量從47.5TB提高到了65TB。更高的運算處理量,會使得這款芯片在AI神經網絡運算上有較大優勢。


臺積電的3D WOW技術指多晶圓堆疊技術,或稱堆疊晶圓(WoW,Wafer on Wafer),簡單來說,就是取代此前在晶圓上水平放置工作單元的技術,改為垂直放置兩個或以上的工作單元。這種做法可以使得在相同的面積下,有更多的工作單元被放到晶圓之中。


點 評:

由于微觀尺度的作用力等原因,從工藝角度,減小制程將變得越來越困難。在這樣的背景下,先進封裝技術作為另一個提升晶圓效率的途徑,也在逐漸受到重視。


當然,先進封裝也有其自身的短板:尤其是堆疊類的封裝,其中一塊芯片失效,就會導致整個封裝后的模組失效,因此必須在芯片良率較高的情況下才較為適用。相較工藝路線的提升,更多的代工和封裝企業其實已經瞄準了從封裝角度提效率,這是一條相對而言,不那么燒錢,且效果更易估量的路徑。


02

供需動態(2月28日)


NAND供給缺口難解,最快4月起缺貨

受鎧俠、威騰 3D NAND Flash 廠原料遭污染事件影響(威騰、鎧俠旗下位于日本四日市、北上兩座廠房產能受原料污染影響,分別為全球第四大與第二大 NAND 芯片廠),第二季 NAND Flash 將產生供給缺口。內存模塊廠普遍預期,4、5 月起面臨缺貨。


受此影響,NAND FLASH價格漲勢也將十分相當強勁。在威騰發函客戶漲價后,美光也傳出 NAND合約、現貨價雙漲,合約價漲 17-18%,現貨價超過 25%。事實上,除了原料污染的影響,年初疫情對于美光和三星的NAND生產也有較大影響。


點 評:

在2月初,便有此消息放出。對產能的測算以及價格上漲的預測也較為準確。本次的消息可以說是對早前預測的印證。從這個事件來看,NAND幾大巨頭的產量以及產品性能是甩開其他相關企業身位的,因此在這幾大巨頭碰巧都因不可抗力減產的情況下,只能任由其發展而無力挽回。


從最終用戶的角度來說,產品因為缺芯造成延期,使得總體成本增加。這屬于供應鏈風險點。相信這次事件會讓業界對整個NAND的產能分布以及代工情況有所研究和重視。

03

供需動態(3月1日)


英特爾選擇在德國馬格德堡建歐洲新晶圓廠

據路透社報道,英特爾已選擇德國東部城市馬格德堡作為新的大型半導體工廠的所在地。去年 9 月,英特爾表示,未來十年可能在歐洲投資多達 950 億美元,并表示將在 2021 年底前宣布兩家新的歐洲芯片廠的位置。本次宣布的德國工廠,正是擬宣布的新工廠之一。


分析人士認為該公司可能一直在等待《歐洲芯片法》取得更多進展,其中將包括數十億美元的激勵措施,用于在歐洲大陸開發芯片。本月早些時候,歐盟委員會正式啟動了 430 億歐元(490 億美元)的法案,但仍要求各個國家同意投資其部分資金。


目前尚不清楚英特爾計劃何時在該地點破土動工,也不知道預計何時開始生產。今年 1 月,它確認正在俄亥俄州哥倫布市建設價值 200 億美元的半導體工廠。利金縣的建設將于今年開始,第一階段將于 2025 年完成。


點 評:

去年Intel新的CEO上任后,在恢復代工模式生產,修復總體秩序方面做了很多工作。而對于代工廠的選址,區別于之前主要從設廠成本以及鄰近客戶的角度,目前更多考慮到全球平衡以及各地區政策(例如貿易政策,芯片保護政策等),從而保證自身供應鏈的安全以及總體的合規性和成本。


從放出歐洲建廠消息但延期公布選址來看,Intel是希望等待《歐洲芯片法案》落地,甚至在為落地之前,起到部分游說和參與法案設定的目的。從而使得自身的經營在法案的框架下利益最大化。


04

供需動態(2月28日)


工信部:我國汽車芯片供應形勢向好

2月28日,工信部副部長辛國斌在國新辦發布會上表示,考慮到全球主要芯片企業已經加大了車規級芯片的生產供應,新建產能也將于今年陸續釋放,國內部分芯片產品供給能力也在逐步提升,預計汽車芯片供應形勢還會持續向好。


辛國斌同時指出,從重點汽車企業監測情況看,汽車芯片供應短缺情況雖然已在逐步緩解,但相對整車和零部件企業的需求和排產計劃來看,目前仍然還有一定的缺口。


針對汽車芯片供應問題,工信部牽頭組建了汽車半導體推廣應用工作組,加強整車、零部件和芯片企業之間的供需對接;實施汽車《公告》管理便企服務措施,促進替代產品裝車應用;配合有關部門,調查處理汽車芯片囤積居奇、哄抬價格等不正當競爭行為。


“在各方面共同努力下,汽車芯片保供工作取得了階段性成效?!毙羾蠼榻B,去年四季度以來,我國汽車月度產銷量出現了恢復向好態勢。2021年全年我國汽車產銷分別完成2608.2萬輛和2627.5萬輛,同比分別增長3.4%和3.8%,結束了汽車產銷連續三年的下滑態勢。今年1月份,我國汽車產銷分別完成了242.2萬輛和253.1萬輛,同比分別增長了1.4%和0.9%。應該說汽車行業今年開局還是比較平穩的。


辛國斌表示,工信部下一步的工作重點要加強供需對接,搭建汽車芯片在線供需對接平臺,暢通芯片產供信息渠道,完善產業鏈上下游合作機制。引導整車和零部件企業優化供應鏈布局,合理排產、互幫互助,提高資源配置效率,最大限度降低缺芯影響。工信部還將進一步支持整車、零部件、芯片企業協同創新,穩妥有序提升國內芯片生產供給能力。堅持全球化發展方向,推動跨國芯片企業增加中國市場供給,加大本地化生產布局,增強產業鏈供應鏈韌性和穩定性。


點 評:

汽車芯片作為出貨大頭且制造成本和難度可控的芯片類型,在前年由于疫情導致的生產和物流原因爆出缺芯消息后,吸引了大量芯片代工企業轉移生產力。目前,在芯片總體仍有短缺的情況下,汽車芯片恢復供貨的速度和勢頭最好。


另一方面,此前的長期缺芯,也讓傳統汽車行業對自研芯片和芯片生產有所側目,畢竟芯片生產不能按期完成將直接影響到整車出貨,并使得企業不得不在芯片代工環節承受更大的成本。此后一個可以預見的未來是:部分專用汽車芯片將會由汽車廠商垂直設計和生產。芯片自研和部分制造,將成為傳統汽車行業轉型的戰略方向之一。


05

企業發布(3月4日)


部分國內行業動態匯編


3月3日


1)晶湛半導體完成數億元戰略融資

近日,蘇州晶湛半導體有限公司(“晶湛半導體”)宣布完成B+輪數億元戰略融資。本輪融資由歌爾微電子領投,高瓴創投、惠友資本、創新工場、禾創致遠、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投,老股東元禾控股、湖杉資本等繼續加碼。


晶湛半導體由業界公認的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創辦,坐落于蘇州市工業園區,擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發和產業化基地,致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案,也是目前國際上唯一可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的廠商,技術實力處于國際領先地位。


在公司發展過程中,晶湛在業內創造過多項第一。2014年底,晶湛半導體就率先在全球首次發布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品,經有關下游客戶驗證,該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能,填補了國內氮化鎵產業的空白。2021年9月,晶湛半導體又成功全球首發12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片,贏得了業內廣泛關注。


3月2日


2)鼎泰匠芯12英寸車規級功率半導體晶圓廠項目封頂

日前,上海鼎泰匠芯科技有限公司(以下簡稱“鼎泰匠芯”)12英寸車規級功率半導體自動化晶圓制造中心項目FAB主廠房封頂。


據了解,該項目打造中國首座12英寸車規級功率半導體晶圓廠,位于上海臨港新片區重裝備產業園,占地198畝,總建筑面積達204059.7㎡。項目建成后預計月產能4.5萬片,主要生產MOSFET、GaN FET、SiCFET等功率器件產品。


公開資料顯示,上海鼎泰匠芯科技有限公司總投資120億元,可實現年產36萬片12英寸功率器件,專注于車規級半導體產品及通訊終端芯片的開發及制造,主要用于MOSFET等功率器件產品的生產,產品可以廣泛應用于消費,通訊,汽車,醫療,工業等電子產品領域。


值得一提的是,鼎泰匠芯母公司是聞天下科技集團有限公司,聞天下旗下的聞泰科技(安世半導體)是全球知名的半導體IDM企業,依托其在功率半導體領域豐富的認知和實踐經驗,鼎泰匠芯將填補中國在車規級半導體領域的諸多空白。隨著未來臨港12英寸車規級晶圓廠的投產,對安世半導體快速增加產能,滿足全球客戶、市場日益增長的需求有著重要意義。


2月28日


3) 青島華芯晶元第三代半導體項目開工

2月28日,青島高新區2022年春季重點項目建設啟動儀式在華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目現場舉辦,包括該項目在內的10個重點項目正式啟動建設,總投資110.98億元。


據悉,錨定又“高”又“新”,本次啟動建設的項目涵蓋了新一代信息技術、醫療醫藥、人工智能+高端裝備制造等青島高新區“3+1”主導產業方向重點領域,科創底色濃厚,匯聚“四新”要素,建成投用后將為區域發展帶來更加強勁的產業支撐力量,不斷夯實區域高質量發展新基石。其中,總投資7億元的華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目占地50畝,建筑面積5.4萬平方米,項目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體化合物材料加工生產相關芯片襯底產品,廣泛用于光電子器件(如激光器、探測器等)、大功率器件(如充電樁、新能源汽車動力組件、軌道交通、特高壓輸電組件等),以及通訊微波射頻器件(如4G、5G通訊基站)。達產后預計可實現年產值5億元,稅收2500萬元。

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